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BSS138NH6327
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 0.51
25+
CNY 0.47
50+
CNY 0.44
100+
CNY 0。43
250+
CNY 0.39
500+
CNY 0.38
1000+
CNY 0.37
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 408
货期: 现货
数量: 
-
  ×0。51 = 0。51
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
最大漏极电流Id(on)(A):0.23
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23-3/-55~150
描述:60V,0.23A,N沟道功率MOSFET
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